湖北隆中实验室

本发明公开了一种辐射制冷涂层及其制备方法。涉及建筑涂层技术领域，所述辐射制冷涂层包括以下重量的原料组分：50份~120份的负碳材料、1份~10份的硅溶胶改性的光致发光材料、1份~20份的无机高反射填料、5份~50份的成膜乳液、50份~120份的水。本发明提供的辐射制冷涂层，具有优异的辐射制冷效果和光致发光性能。

本发明提供了一种连续SiC界面层碳纤维铝基高导热复合材料及其制备方法，包括以下步骤：对中间相沥青基碳纤维进行石墨化预处理后，置于硅粉与二氧化硅粉末混合物的上方，在负压及惰性气氛下1400~1600℃加热反应1~2分钟，得到含连续SiC界面层的改性碳纤维束；将其置于体积可调的夹具中，进行压缩成型，得到定向排列的碳纤维预制体；使用熔融铝或熔融铝合金进行真空压力浸渗处理，得到连续SiC界面层碳纤维铝基高导热复合材料。本发明通过超短时气相原位反应、定向预制体成型与真空压力浸渗工艺，实现了界面结构优化、铝液充分浸渗及连续导热网络构建，制备得到的铝基复合材料兼具高导热性、低热膨胀性与高力学性能。

本发明提供了一种4H‑SiC衬底碳面位错的KOH腐蚀表征方法，包括以下步骤：对4H‑SiC衬底进行预处理；将预处理后的4H‑SiC衬底浸入熔融KOH中，碳面朝上，进行腐蚀；腐蚀条件为：腐蚀温度450℃~525℃，腐蚀时间40~70分钟；取出4H‑SiC衬底，进行洗涤、干燥；观察识别并统计特征腐蚀坑。本发明突破了现有技术中熔融KOH腐蚀通常仅适用于4H‑SiC的Si面、难以用于C面位错缺陷表征的限制，通过优化腐蚀温度和腐蚀时间，在4H‑SiC的C面形成清晰可识别的位错腐蚀坑，实现对4H‑SiC碳面位错的高效、低成本、高分辨表征。