一种4H-SiC衬底碳面位错的KOH腐蚀表征方法

本发明提供了一种4H‑SiC衬底碳面位错的KOH腐蚀表征方法，包括以下步骤：对4H‑SiC衬底进行预处理；将预处理后的4H‑SiC衬底浸入熔融KOH中，碳面朝上，进行腐蚀；腐蚀条件为：腐蚀温度450℃~525℃，腐蚀时间40~70分钟；取出4H‑SiC衬底，进行洗涤、干燥；观察识别并统计特征腐蚀坑。本发明突破了现有技术中熔融KOH腐蚀通常仅适用于4H‑SiC的Si面、难以用于C面位错缺陷表征的限制，通过优化腐蚀温度和腐蚀时间，在4H‑SiC的C面形成清晰可识别的位错腐蚀坑，实现对4H‑SiC碳面位错的高效、低成本、高分辨表征。