一种低临界频率高双折射率的双频液晶材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种低临界频率高双折射率的双频液晶材料及其制备方法和应用,属于液晶材料制备技术领域。本发明的低临界频率高双折射率的双频液晶材料,将含有CFO基的正性液晶化合物与其它特定负性液晶化合物按照一定的重量百分比进行混配,形成具有双频驱动特性低临界频率的双频液晶材料。本发明的双频液晶材料具有低临界频率、Δn大、介电各向异性常数大、温度范围宽等优点。本发明的双频液晶材料在液晶调制器件中有很好的应用前景。
APPLICANTS
원본 출원인 이름 및 가져온 특허의 원래 이름 필드를 확인합니다.
이름 기준 검색 결과이며 법적 주체의 동일성을 확인한 것이 아닙니다. 동명인·조직, 별칭 및 이전 이름을 자동 통합하지 않습니다.
원래 이름 필드 전체와 정확히 일치하는 기록입니다. 여러 출원인 또는 다른 역할의 당사자가 포함될 수 있습니다. 이름 경계와 법적 주체는 미확인이며 구두점을 분리하지 않습니다.
색인된 특허 기록 33건