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本公开实施例提供一种地址转换方法及电子设备。地址转换方法包括：构建包括内存地址转换为虚拟地址的转换信息的第一转换表；构建包括存储器地址转换为所述内存地址的转换信息的第二转换表；根据所述第一转换表和所述第二转换表将目标存储器地址转换为目标虚拟地址。

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构至少包括第一牺牲层和位于第一牺牲层下方的第二牺牲层；刻蚀堆叠结构以形成在竖直方向上贯穿堆叠结构的电容孔，并在电容孔内形成第一电极层；执行多次循环工艺，去除第一牺牲层；其中，一次循环工艺包括：对第一牺牲层执行第一刻蚀工艺，以形成暴露部分第一电极层侧壁的第一循环间隙；对第一电极层被暴露的侧壁执行第二刻蚀工艺，以减小被暴露的第一电极层在水平方向上的尺寸。

本公开实施例提供一种存储器及其形成方法、电子设备；其中，存储器的形成方法包括：提供衬底；在衬底的表面，形成沿第一方向和第二方向排列的多个堆叠结构；堆叠结构包括沿第三方向间隔排列的第一半导体层和第二半导体层，衬底、第一半导体层和第二半导体层包括相同的半导体材料；沿第二方向横向刻蚀第一半导体层和第二半导体层的两侧，分别形成沿第一方向延伸的第一有源层和第二有源层；第一有源层和相邻的第二有源层构成一个有源组；在有源组中的第一有源层和第二有源层之间，形成沿第二方向延伸的栅极结构。

本公开实施例提供一种图像传感器及其制备方法、成像系统。图像传感器包括：基底，包括多个像素单元和分隔多个所述像素单元的隔离结构；多个滤色器，位于所述基底上，并与多个所述像素单元对应设置；栅格结构，所述栅格结构位于多个所述滤色器之间；所述栅格结构包括介质层，所述介质层内形成有气隙结构和光隔离层，其中，所述光隔离层的折射率大于所述介质层的折射率。