存储器及其形成方法、电子设备

本公开实施例提供一种存储器及其形成方法、电子设备；其中，存储器的形成方法包括：提供衬底；在衬底的表面，形成沿第一方向和第二方向排列的多个堆叠结构；堆叠结构包括沿第三方向间隔排列的第一半导体层和第二半导体层，衬底、第一半导体层和第二半导体层包括相同的半导体材料；沿第二方向横向刻蚀第一半导体层和第二半导体层的两侧，分别形成沿第一方向延伸的第一有源层和第二有源层；第一有源层和相邻的第二有源层构成一个有源组；在有源组中的第一有源层和第二有源层之间，形成沿第二方向延伸的栅极结构。