安徽华晟新能源科技股份有限公司

本申请涉及异质结太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池、制备方法及镀膜设备。所述电池透明导电氧化物膜层包括依次设置于掺杂微晶硅层表面的第一TCO层和第二TCO层，第一TCO层为保护层，第二TCO层为主体层。第一TCO层在较高沉积压力、较低功率密度和较大靶基距的第一沉积环境中形成，降低磁控溅射对掺杂微晶硅层及其界面的轰击；第二TCO层在较低沉积压力、较高功率密度和较小靶基距的第二沉积环境中形成，提高膜层致密性和导电性能。两沉积环境之间设置升降缓存腔，通过隔离门降低气体互串和压力扰动，并通过载板高度切换实现不同靶基距区域间的输送，从而兼顾界面保护与TCO膜层光电性能。

本申请涉及一种异质结电池及其制作方法，其中，异质结电池，包括：基片结构；本征非晶硅层，本征非晶硅层分别位于基片结构的两侧；掺杂微晶硅层，掺杂微晶硅层分别位于本征非晶硅层的远离基片结构的一侧；TCO层，掺杂微晶硅层的两侧均设置有TCO层，TCO层包括栅线接触区域和非栅线接触区域，非栅线接触区域为氧化层，栅线接触区域为氢化层；导电电极，导电电极设置在栅线接触区域，并于氢化层相连。本申请的技术方案有效地解决了现有技术中的异质结电池的TCO层短路电流和转换效率较低，以及TCO层的电阻较大的问题。