异质结电池及其制作方法

本申请涉及一种异质结电池及其制作方法，其中，异质结电池，包括：基片结构；本征非晶硅层，本征非晶硅层分别位于基片结构的两侧；掺杂微晶硅层，掺杂微晶硅层分别位于本征非晶硅层的远离基片结构的一侧；TCO层，掺杂微晶硅层的两侧均设置有TCO层，TCO层包括栅线接触区域和非栅线接触区域，非栅线接触区域为氧化层，栅线接触区域为氢化层；导电电极，导电电极设置在栅线接触区域，并于氢化层相连。本申请的技术方案有效地解决了现有技术中的异质结电池的TCO层短路电流和转换效率较低，以及TCO层的电阻较大的问题。