中国电子科技集团公司第十一研究所

本申请公开了一种两地基光电联动识别测距方法、装置、设备、介质及产品。有效利用了目标探测器靶面成像尺寸与实际距离的等比规律，同时将目标识别与测距有效结合，通过探测器像素的空间换算规律及转台观测角度，计算出设备联动的转动角度，自动引导转动后识别同一目标，根据联动后，实际跟踪目标得到的转动角度值，计算出修正后的目标距离值，减少了人工寻找目标的流程，使联动测距更加智能化、实用化。

本申请公开了一种红外探测器用嵌入式键合自对准装置及晶圆键合对准方法。红外探测器用嵌入式键合自对准装置包括：介质层以及设置于介质层中的键合对准单元；键合对准单元包括凸台和凹陷结构，用于第一晶圆与第二晶圆之间的电学连接和物理键合；凸台用于设置于第一晶圆键合面上，凹陷结构用于设置于第二晶圆键合面上，凹陷结构与凸台的位置相对应；在施加外部压力的情况下，凸台的至少一部分嵌入凹陷结构，以实现第一晶圆与第二晶圆的预对准，从而在键合压力的作用下，凸台与凹陷结构滑移至二者中心对齐，进而完成自对准，其中键合压力大于外部压力。本申请实施例能够有效提升键合精度，为三维垂直集成红外探测技术的低成本研发提供解决方案。

本申请公开了一种梯度势垒型超晶格红外探测器及其制作方法。梯度势垒型超晶格红外探测器从下至上依次设置有：衬底；缓冲层；P型接触层；吸收层；梯度过渡势垒层，为N阶M结构超晶格，N≥2，沿远离所述吸收层的方向，所述梯度过渡势垒层的等效价带顶呈阶梯式下降，且其等效导带底不高于所述吸收层的等效导带底；以及N型接触层。将传统的固定周期M势垒层改进成一种N阶能带高度阶梯式递变的过渡势垒层，通过使势垒层的等效能带平滑过渡，既能保证导带的平齐无势垒，又能实现价带的渐变降低，从而打破传统结构中暗电流抑制与量子效率提升相互制约的技术瓶颈，解决长波探测器量子效率低和暗电流大并存的问题。

卡式光学系统的次镜组件定位装置及方法，装置包括：调整螺杆；螺纹连接于调整螺杆一端的基座，基座包括盘状部和设于盘状部一侧的筒状部；筒状部设置有侧面顶钉，用于可选地将调整螺杆与基座固定；盘状部远离筒状部的端面配置为基准面，通过基准面与调整螺杆远离基座的端面之间的距离，设定次镜相对于主镜的轴向理论零位；可选地螺纹连接于筒状部的下锁紧压圈；可选地螺纹连接于调整螺杆的上锁紧压圈；次镜限位座，用于径向限位安装次镜组件，使其位于径向理论零位；次镜限位座可选地活动连接于调整螺杆的另一端，且通过上锁紧压圈，可驱动次镜限位座沿调整螺杆的轴向移动。本申请提高了喀什光学系统的调试效率。

本申请公开了一种nBn浅台面结构红外探测器制备方法及探测器，涉及半导体、红外探测器技术，包括：提供nBn势垒型超晶格晶圆，晶圆至少包括层叠的衬底、下n型接触层、吸收层、势垒层和上接触层；在晶圆上形成下电极引出槽，以引出下电极；在包含下电极引出槽的晶圆整个表面上沉积Ti/Au复合层，作为电极层；通过光刻工艺形成隔离槽图案，并进行像元隔离；基于像元隔离的晶圆，采用等离子体增强化学气相沉积工艺依次沉积SiO层和SiNO层，形成复合钝化层；通过光刻工艺在复合钝化层中刻蚀接触孔图案，以形成接触孔；通过光刻工艺形成引出电极图案，以形成引出电极。本申请提出一种低暗电流的器件制备工艺，有效保障器件在高工作温度下的探测性能。