一种nBn浅台面结构红外探测器制备方法及探测器

本申请公开了一种nBn浅台面结构红外探测器制备方法及探测器，涉及半导体、红外探测器技术，包括：提供nBn势垒型超晶格晶圆，晶圆至少包括层叠的衬底、下n型接触层、吸收层、势垒层和上接触层；在晶圆上形成下电极引出槽，以引出下电极；在包含下电极引出槽的晶圆整个表面上沉积Ti/Au复合层，作为电极层；通过光刻工艺形成隔离槽图案，并进行像元隔离；基于像元隔离的晶圆，采用等离子体增强化学气相沉积工艺依次沉积SiO层和SiNO层，形成复合钝化层；通过光刻工艺在复合钝化层中刻蚀接触孔图案，以形成接触孔；通过光刻工艺形成引出电极图案，以形成引出电极。本申请提出一种低暗电流的器件制备工艺，有效保障器件在高工作温度下的探测性能。