世界先进积体电路股份有限公司

微机电封装包含第一基板、互连层、微机电元件层、支座结构、键合材料层以及第二基板。互连层设置在第一基板上，微机电元件层包含微机电元件，设置于互连层上方。支座结构设置在微机电元件层下方，围绕微机电元件，且键合至互连层。支座结构包含内侧壁、外侧壁和底面，键合材料层涂布于支座结构的外侧壁和部分的底面上。此外，第二基板包含空腔，且键合至微机电元件层。

本发明提供一种半导体结构及半导体装置，其中半导体结构，包含基板、位于基板上的晶种层与位于晶种层上的缓冲层。缓冲层包含位于该晶种层上的第一超晶格部、位于第一超晶格部上的第二超晶格部、以及位于第二超晶格部上的第三超晶格部。第一超晶格部、第二超晶格部、以及第三超晶格部分别具有第一铝浓度、第二铝浓度、以及第三铝浓度。该第二铝浓度小于该第一铝浓度，且该第二铝浓度小于该第三铝浓度。