富采光电股份有限公司

本发明公开一种半导体元件及半导体装置。所述半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构、活性区及第一电极。第一半导体结构包括第一半导体层及位于第一半导体层下的第二半导体层。第一半导体结构具有上表面。上表面具有第一区及第二区。第二半导体结构及活性区位于第一区且不位于第二区上。活性区位于第一及第二半导体结构之间。第一电极位于第二区上且与第一半导体层直接接触形成电连接。第一半导体层的导电型态为n型且为第一半导体结构中厚度最大的层。第一半导体层包括第一III‑V族半导体材料。第一III‑V族半导体材料包括三元或四元的砷化物或磷化物。

本发明公开一种发光元件封装体其包括：杯状壳体、第一连接件及第一发光元件。杯状壳体包括壳体上部及壳体下部。壳体上部具有容置区域。壳体下部具第一长边侧面及第一短边侧面。第一长边侧面沿第一方向延伸且第一短边侧面沿第二方向延伸。第一连接件设置于壳体下部第一侧且包括第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部。第一延伸部设置于壳体下部的上表面。第二延伸部连接第一延伸部且在壳体下部的第一短边侧面上延伸。第三延伸部连接第二延伸部且在壳体下部的第一长边侧面上延伸。第一发光元件设置于容置区域中并电连接第一连接件。

本发明公开一种半导体元件排列结构，其包括载板、粘着部及半导体元件。粘着部设置于载板上。半导体元件设置于粘着层部上，且包括半导体叠层、保护层、第一导电层及第二导电层。保护层设置于半导体叠层上，且具有第一部分与第二部分。第一导电层设置于半导体叠层上。第二导电层设置于第一导电层上。其中，第一部分与粘着部接触。其中，第二部分与粘着部间隔一距离。