半导体元件及半导体装置

本发明公开一种半导体元件及半导体装置。所述半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构、活性区及第一电极。第一半导体结构包括第一半导体层及位于第一半导体层下的第二半导体层。第一半导体结构具有上表面。上表面具有第一区及第二区。第二半导体结构及活性区位于第一区且不位于第二区上。活性区位于第一及第二半导体结构之间。第一电极位于第二区上且与第一半导体层直接接触形成电连接。第一半导体层的导电型态为n型且为第一半导体结构中厚度最大的层。第一半导体层包括第一III‑V族半导体材料。第一III‑V族半导体材料包括三元或四元的砷化物或磷化物。