西安唐晶量子科技股份有限公司

本申请涉及半导体外延生长仿真技术领域，尤其涉及MOCVD外延片生长过程的联合仿真与评估系统；包括界面状态提取模块，用于在仿真执行至相邻外延层界面切换时刻时，获取前一时刻各节点的组分残存浓度；衰减常数构建模块，用于针对每个节点构建衰减时间常数；残余浓度追踪模块，用于以节点的衰减时间常数对所述组分残存浓度施以指数衰减，生成时变残余浓度，并通过融合时变残余浓度和通过流场求解所得的主供浓度构建各节点的实际前驱体总浓度。本申请具有提高外延片生长过程中仿真评估的准确性的效果。

本发明涉及有限元仿真数据处理领域，公开一种面向VCSEL外延生长的反应腔有限元仿真优化方法。方法包括：读取原、目标有限元网格、晶圆表面边界及原网格温度场和反应物浓度场数据，在中心距离大于零的晶圆邻近节点中识别局部极值节点并建立原中心至边缘参考关系；生成目标网格基准场数据，按原、目标中心距离间隔换算参考场值差，仅在局部极值衰减且目标局部场值差小于参考场值差时形成局部失真记录，并对记录中的目标网格节点进行受原局部值域限制的修正，输出目标网格修正温度场数据和目标网格修正反应物浓度场数据。本发明能够减少与晶圆片内分布无关的节点调整，使修正温度场和反应物浓度场更适于片内分布分析。