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一种硅光器件及其形成方法，其中硅光器件包括：衬底，所述衬底包括第一侧和第二侧；位于所述第一侧的第一器件层，所述第一器件层内具有光学器件；位于所述第一侧的第一电互连结构，所述第一电互连结构与所述光学器件电连接；位于所述第二侧的第二器件层，所述第二器件层内具有电学器件；位于所述第二侧的第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述电学器件电连接；贯穿所述衬底的第三电互连结构，所述第三电互连结构分别与所述第一电互连结构和所述第二电互连结构电连接。通过将光学器件和电学器件分别形成在衬底的不同侧，有效减少光学器件和电学器件占用的面积，以此能够获得较小尺寸的集成单芯片。

一种晶圆混合键合结构及方法，其中方法包括：键合结构，键合结构包括相互键合的第一晶圆结构和第二晶圆结构，第一晶圆结构包括第一晶圆，第一晶圆包括相对的第一面和第二面，第一晶圆结构还包括位于第一面上的第一介质层和位于第一介质层内的第一电互连层，第一面朝向第二晶圆结构，键合结构边缘具有磨削口，磨削口自第二面向第一面方向延伸；位于第一晶圆的第二面上的第二介质层；位于第二介质层和第一晶圆结构内的导电插塞，导电插塞贯穿第二介质层和第一晶圆，且位于第一电互连层表面；位于磨削口侧壁的保护层，通过保护层对所述磨削口侧壁的保护作用，减少电路失效风险。

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：阻挡层，至少位于相邻的存储单元区域之间的衬底中，阻挡层具有第二掺杂离子，其中，第二掺杂离子的类型与第一掺杂离子的类型相同，且第二掺杂离子的浓度大于第一掺杂离子的浓度；叠层栅结构，位于存储单元区域的位线上；隔离层，位于位线露出的衬底上，且隔离层的底部与阻挡层的顶部相接触；本实施例中，由于第二掺杂离子的浓度大于第一掺杂离子的浓度，因此，沿阻挡层指向位线的方向，产生内建电场，有利于阻挡位线中的沟道耗尽层中的电子从隔离层底部流向相邻的存储单元区域中，相应降低了沟道耗尽层中的电子从隔离层底部流向相邻存储单元区域中的概率，从而降低了隔离层底部的漏电流。

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的栅氧层，衬底包括第一区；形成位于第一区上的第一栅极；形成位于第一区上的保护层；刻蚀第一区的保护层，形成阻挡侧墙，阻挡侧墙位于第一栅极的侧壁和栅氧层上；在形成阻挡侧墙后，对第一栅极两侧的衬底进行轻掺杂漏注入，形成位于第一栅极下方衬底内的轻掺杂区。阻挡侧墙位于第一栅极的侧壁和栅氧层上，阻挡侧墙保护衬底与第一栅极之间的栅氧层和位于阻挡侧墙下方的栅氧层，当对第一栅极两侧的衬底进行轻掺杂漏注入时，可减小轻掺杂漏注入对位于衬底与第一栅极之间的栅氧层的损耗，提升第一栅极与衬底之间的栅氧层的质量和完整性，提升半导体结构的可靠性。