半导体结构及其形成方法

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的栅氧层，衬底包括第一区；形成位于第一区上的第一栅极；形成位于第一区上的保护层；刻蚀第一区的保护层，形成阻挡侧墙，阻挡侧墙位于第一栅极的侧壁和栅氧层上；在形成阻挡侧墙后，对第一栅极两侧的衬底进行轻掺杂漏注入，形成位于第一栅极下方衬底内的轻掺杂区。阻挡侧墙位于第一栅极的侧壁和栅氧层上，阻挡侧墙保护衬底与第一栅极之间的栅氧层和位于阻挡侧墙下方的栅氧层，当对第一栅极两侧的衬底进行轻掺杂漏注入时，可减小轻掺杂漏注入对位于衬底与第一栅极之间的栅氧层的损耗，提升第一栅极与衬底之间的栅氧层的质量和完整性，提升半导体结构的可靠性。