№ CN122944850A발명
알 수 없음一种低噪声高压LDO稳压芯片电性测试方法
本发明公开了一种低噪声高压LDO稳压芯片电性测试方法,属于集成电路电性测试技术领域。将待测低噪声高压LDO稳压芯片接入包含高压输入端口、低压输出端口、参考地端口、使能端口和可编程负载端口的测试夹具;对参考地端口施加二进制加权扰动电流序列,同时对高压输入端口施加阶梯式电压斜坡,并通过可编程负载端口动态切换负载档位;同步采集低压输出端口的输出电压噪声信号、静态电流信号和相位裕度探测信号;将三组信号按采样时刻对齐生成三通道联合状态流,截取扰动注入前、扰动注入中、扰动注入后的片段;根据三个片段之间的信号变化量确定电性测试结果。该方法能够同步获得多参数在动态扰动下的关联状态,并实现漏电通道和短路通道定位。
❖北京思众电子科技有限公司艾亮东; 李强; 胡其剑; 罗力祥; 李影; 杨宝娟Oct 20, 2026§ 1/10 청구항G01R 31/28 (2006.01), G01R 29/26 (2006.01), G01R 25/00 (2006.01) +228