阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

堆叠状的高阻断的III‑V族半导体功率二极管和制造方法，III‑V族半导体功率二极管具有高掺杂的第一半导体接通区、布置在第一半导体接通区下方的低掺杂的半导体漂移区、布置在半导体漂移区下方的高掺杂的第二半导体接通区和两个连接接通层，至少第一半导体接通区构造核心堆叠，核心堆叠沿侧面由电介质框架区域包围，核心堆叠的和电介质框架区域上侧或下侧彼此封闭或相对于彼此构造台阶，III‑V族半导体功率二极管的布置在第一半导体接通区下方的半导体区域分别由核心堆叠包括或构造载体区域，其中，载体区域布置在核心堆叠和框架区域下方，并与由电介质框架区域的下侧和核心堆叠的下侧形成的共同下侧材料锁合地连接。

本发明涉及一种用于半导体晶片的金属化方法，至少包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆，其中，每个太阳能电池堆具有以所提到的顺序布置的构造所述半导体晶片的所述下侧的Ge‑衬底、Ge‑子电池和至少两个III‑V‑子电池，以及具有至少一个从半导体晶片的所述上侧达到所述下侧的贯通开口，该贯通开口具有连续的侧壁和在横截面中呈卵形的周边，借助于印刷方法将光刻胶层作为胶图案区域式地施加在所述半导体晶片的所述上侧或所述下侧上或者施加在所述上侧和所述下侧上，将金属层面式地施加到所述半导体晶片的涂覆有所述光刻胶层的表面的露出区域上以及施加到所述光刻胶层上，将所述胶图案与所述金属层的位于所述胶图案上的部分从所述半导体晶片剥离。