堆叠状的高阻断的InGaAs半导体功率二极管

堆叠状的高阻断的III‑V族半导体功率二极管和制造方法，III‑V族半导体功率二极管具有高掺杂的第一半导体接通区、布置在第一半导体接通区下方的低掺杂的半导体漂移区、布置在半导体漂移区下方的高掺杂的第二半导体接通区和两个连接接通层，至少第一半导体接通区构造核心堆叠，核心堆叠沿侧面由电介质框架区域包围，核心堆叠的和电介质框架区域上侧或下侧彼此封闭或相对于彼此构造台阶，III‑V族半导体功率二极管的布置在第一半导体接通区下方的半导体区域分别由核心堆叠包括或构造载体区域，其中，载体区域布置在核心堆叠和框架区域下方，并与由电介质框架区域的下侧和核心堆叠的下侧形成的共同下侧材料锁合地连接。