원래 이름 기록: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司; 西安欣芯材料科技有限公司

本发明提供了一种结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质，属于半导体生产技术领域。该结晶控制设备包括：自动温度控制ATC系统，还包括：测距单元，用于测量目标点到晶棒表面的距离数据，所述目标点为所述测距单元所在位置，所述晶棒位于所述拉晶炉内；控制单元，分别与所述测距单元和所述ATC系统连接，所述控制单元用于获取所述距离数据，并通过分析所述距离数据指示所述ATC系统调节所述拉晶炉内的温度。本发明的技术方案能够及时、准确地预测结晶风险，从而避免晶棒断裂和原材料浪费的问题。

本公开提供了一种晶圆清洗系统和方法，系统包括清洗液供给装置、兆声波换能器、传感装置以及控制装置，其中，清洗液供给装置用于向晶圆的表面施加清洗液；兆声波换能器被配置为在清洗液中产生兆声波场；传感装置被配置为实时监测用于表征所述兆声波换能器到所述清洗液的能量传输效率的声学特性；控制装置与传感装置和兆声波换能器通信连接，其中，控制装置被配置为响应于传感装置监测到的声学特性，动态调整兆声波换能器的至少一个操作参数，以优化能量传输效率。

本发明提供了一种籽晶倾斜检测方法及装置，属于籽晶检测技术领域。该方法包括采集待检测籽晶在旋转过程中的图像序列和驱动所述待检测籽晶旋转的扭矩信息；根据所述图像序列中所述特征点的各位置信息确定第一拟合圆心，并计算所述第一拟合圆心与第二拟合圆心之间的偏差得到第一偏移量；提取所述扭矩信息中的第一扭矩波动特征量，并计算所述第一扭矩波动特征量与第二扭矩波动特征量之间的偏差得到第二偏移量；根据所述第一偏移量和所述第二偏移量确定所述待检测籽晶的倾斜检测结果。实现了视觉维度与扭矩维度的互补，减少了单一维度的干扰，提升了检测灵敏度，从而提升了检测结果的准确性。

本发明提供了一种硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备，属于半导体制造技术领域。硅片切割线痕判定方法，包括：对切割后的硅片的表面形貌进行测量，获取所述硅片的目标直径上N个位置点相对于基准平面的高度数据，其中，N为大于1的整数，所述目标直径与切割方向平行；根据所述高度数据分别计算每个所述位置点邻域内的轮廓高度波动标准差；选取N个位置点的轮廓高度波动标准差中的最大标准差；将所述最大标准差与多个检测阈值进行比较，确定所述硅片的切割线痕等级。本发明的技术方案能够准确判断硅片的切割线痕等级。