结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质

本发明提供了一种结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质，属于半导体生产技术领域。该结晶控制设备包括：自动温度控制ATC系统，还包括：测距单元，用于测量目标点到晶棒表面的距离数据，所述目标点为所述测距单元所在位置，所述晶棒位于所述拉晶炉内；控制单元，分别与所述测距单元和所述ATC系统连接，所述控制单元用于获取所述距离数据，并通过分析所述距离数据指示所述ATC系统调节所述拉晶炉内的温度。本发明的技术方案能够及时、准确地预测结晶风险，从而避免晶棒断裂和原材料浪费的问题。