江苏天科合达半导体有限公司

本申请公开了一种切割片的表面加工设备及表面加工方法，包括：机台主体，具有承载待加工切割片的加工工位；与加工工位相对设置的复合抛光垫，包括抛光垫基底以及设置在抛光垫基底一侧表面上的磨料层；第一供液系统，用于向加工工位提供水基助剂；第二供液系统，用于向加工工位提供抛光液；控制器，用于在加工设备启动后，基于待加工切割片的减薄厚度，控制第一供液系统和第二供液系统的工作状态；当减薄厚度小于设定目标值时，控制第二供液系统关闭，并控制第一供液系统开启，当减薄厚度不小于设定目标值且复合抛光垫的磨料层被完全去除时，控制第一供液系统关闭，并控制第二供液系统开启，以依次对待加工切割片进行表面减薄处理和表面抛光处理。

本发明涉及半导体化学机械抛光（CMP）设备技术领域，具体是衬底的加工方法。本发明提供衬底的加工方法，针对大尺寸衬底平坦化加工困难且良率低的问题，根据来片衬底的面型基础，选择适配的非等厚气膜实现环形多区域不同膜厚度抛光头结构，配合单片CMP设备独立气压调节的分区压力调整能力，在压力响应阶段偏差较小，能够针对性调控大尺寸衬底的面型，从而解决大尺寸衬底边缘“抛不到”或者“过抛”问题，进而实现大尺寸衬底晶圆的表面超精密平坦化加工，衬底TTV最终可稳定控制在1.0 μm以内，尤其适用于第三代半导体碳化硅衬底量产级CMP加工。

本申请公开了一种碳化硅晶体的生长装置，涉及碳化硅晶体技术领域，该生长装置包括坩埚、位于坩埚开口处的坩埚盖以及固定于坩埚盖下表面的碳化硅籽晶；在坩埚盖上方设置有测温组件和M个旋转喷气组件，坩埚盖上表面被划分为M个区域，每个区域对应一个旋转喷气组件；测温组件用于实时获取坩埚盖上表面的温度分布，当检测到某区域内存在实时温度高于预设上限的热点位置时，对应的旋转喷气组件自动调整指向并向该热点位置喷射冷却气体进行定点降温。本申请可以通过分区感知与靶向喷气的闭环设计，消除生长过程中的局部过热现象，维持籽晶表面稳定的径向温度梯度，抑制多晶缺陷产生，提升晶体质量。