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기록

一种基于偏移补偿的激光分段硅片切割控制方法及系统

발명유효
6조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

杨义; 安迪; 王学备

IPC 분류

B23K 26/38 (2014.01)H10P 74/00 (2026.01)B23K 26/70 (2014.01)G06F 17/16 (2006.01)G06F 18/213 (2023.01)G05B 19/404 (2006.01)B23K 103/00 (2006.01)

本发明公开一种基于偏移补偿的激光分段硅片切割控制方法及系统,通过采集硅片位置角度信息构建偏移补偿矩阵,实现六自由度位置偏差校正;结合轨迹热应力融合分析生成热应力补偿因子,构建自适应控制路径抑制热变形影响;基于自适应控制路径确定分段处理区域,通过温度场扫描提取温度峰值分布点,构建热定位网络生成协调控制序列实现多区域温度场协同调节;利用协调控制序列进行功率分配分析,通过负载均衡技术和动态负载波填充技术生成自平衡负载场,提取温度调节参数;基于温度调节参数进行熔化阻抗检测,通过阻抗梯度分析提取波动特征,结合双输入融合控制方法生成切割控制指令,实现了硅片切割全过程自适应的精密控制。

§ Ⅵ

특허 도면

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