一种锰钴镍基MEMS温度传感器芯片及其制备、封装方法

本申请提供锰钴镍基MEMS温度传感器芯片及其制备、封装方法，温度传感器芯片的制备方法包括：提供前置粉体材料，其至少包括三氧化二钴、二氧化锰和三氧化二镍；将前置粉体材料与有机溶剂混合，得到传感器的打印浆料；提供衬底，通过光刻形成图案，在衬底表面形成电极层，然后将电极层图形化为叉指电极；将打印浆料通过图案化工艺在电极化的衬底上进行图案化；将带有打印浆料的衬底烧结，得到带有电极层的敏感膜；在敏感膜上方形成保护层，得到锰钴镍基MEMS温度传感器芯片。本申请将MEMS技术引入负温度系数温度传感器芯片加工过程中，可以将传感器芯片大小缩减到微米级别，有助于实现锰钴镍基温度传感器的微型化并提高其测量精度。