一种适用于PTFE基材的电解铜箔制备方法及电解铜箔

本发明公开一种适用于PTFE基材的电解铜箔制备方法及电解铜箔，步骤包括酸洗、一次水洗、阵列化铜柱制备、二次水洗、蚀刻、三次水洗、防氧化处理、四次水洗、硅烷化、烘干及收卷。其中掩膜阵列化曝光能量200 ‑ 300mJ/cm²，电镀电流密度2 ‑ 4A/dm²、时间10 ‑ 20分钟，蚀刻在35 ‑ 45℃下处理3 ‑ 8分钟。该方法通过精准工艺控制，使铜箔形成独特米粒状铜瘤结构，最终产品Rz≤1.5μm、Ra≤0.2μm，不仅粗糙度均匀，且力学性能与贴合性能优异，完全符合《GB‑T 5230‑2020》标准，可作为高频高速PCB领域PTFE基材的适配铜箔原料，应用前景广阔。