一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆

本发明涉及超分辨成像技术领域，特别涉及一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆。制备方法包括如下步骤：在裸晶圆或结构晶圆上依次制备第一金属层、感光膜层和第二金属层，形成待曝光晶圆；在所述待曝光晶圆表面进行整片浸没液喷涂，利用掩模版对整片浸没液喷涂后的所述待曝光晶圆进行浸没式逐场曝光处理，待全部待曝光区域曝光结束后，清洗去除浸没液；去除所述第二金属层，显影获得具有图形的光刻晶圆。本发明通过将现有技术的逐场滴液、逐场曝光的方式改进成整片滴液、逐场曝光的方式，将原有的所有曝光场光刻时间从60‑120分钟缩短到5‑10分钟。在不改变光刻图形的分辨率的前提下，极大地缩短了光刻晶圆制备时间。