适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统

本发明公开了一种适用于深海pH检测的ISFET芯片、制备方法及系统，包括：硅基底；氧化层，设置于硅基底上方的左右两端；源极和漏极，通过离子注入形成于所述硅基底中；栅极绝缘层，覆盖于所述源极和漏极之间的沟道区的上方；氮化硅敏感膜层，设置于所述栅极绝缘层的上方；栅极保护层，设置于所述氧化层、部分源极和部分漏极的上方以及氮化硅敏感膜层的上方左右两端；金属电极，设置于源极和漏极上方靠近氧化层的接触孔上，并与所述源极和漏极形成电连接；钝化层，覆盖于栅极保护层的上表面除氮化硅敏感膜层中部和金属电极以外的位置，露出氮化硅敏感膜层的中部和金属电极。本发明解决了现有ISFET芯片灵敏度不足、功耗高等问题。