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기록
具有芯片堆叠体和正交互连桥的半导体封装
발명유효
8조회수
18청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
J·尼克博克; M·G·法卢克; 松本圭司
IPC 분류
H10D 80/30 (2026.01)H10B 80/00 (2026.01)H10W 80/00 (2026.01)
一种封装结构,包括:具有上表面的衬底;第一芯片封装,位于所述衬底的上表面上,所述第一芯片封装包括第一芯片,所述第一芯片具有连接到第一再分布层的第一集成电路;第二芯片封装,位于所述衬底的上表面上,所述第二芯片封装包括第二芯片,所述第二芯片具有连接到第二再分布层的第二集成电路;正交桥,位于所述第一芯片封装和所述第二芯片封装之间,并且具有到所述第一再分布层和所述第二再分布层的互连;以及散热器,其定位成与第一芯片封装、第二芯片封装或正交桥中的至少一个直接接触。正交桥被布置成基本上正交于衬底的上表面。