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기록

一种低铜瘤低粗糙度的超厚铜箔电解生箔工艺

발명알 수 없음
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

李学帅; 杨曼; 马炜宸; 温晓庚; 黄紫薇

출원일

Jul 16, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

C25D 1/04 (2006.01)C25D 3/38 (2006.01)

本发明涉及一种低铜瘤低粗糙度的超厚铜箔电解生箔工艺,属于铜箔技术领域。本发明的超厚铜箔电解生箔工艺包括以下步骤:S1、向水中加入铜源、硫酸、氯源、整平剂、光亮剂、抑制剂与表面活性剂并搅拌均匀,得到电解液;S2、将阴极辊和阳极浸入电镀液中进行电解沉积,得到低铜瘤低粗糙度的超厚铜箔。以硫酸铜体系电解液为基础,复配并严格控制整平剂、光亮剂、抑制剂、表面活性剂多组分添加剂浓度,依靠各添加剂协同作用调控阴极界面铜离子电结晶过程,从电解沉积源头抑制铜离子异常枝晶析出,一步制备兼具低铜瘤、低粗糙度特性的超厚生箔。

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