光子集成电路芯片、制备方法及光计算设备

本说明书实施例提供一种光子集成电路芯片、制备方法及光计算设备。其中，方法包括如下的步骤：提供半导体晶圆，其上形成有多个光子集成电路区域，光子集成电路区域内至少集成有边缘耦合器；沉积第一防潮层；刻蚀第一防潮层以暴露出光子集成电路区域的用于与外部电路电连接的电连接区；在相邻的两个光子集成电路区域之间的间隔区域进行刻蚀，形成深沟槽，深沟槽的侧壁构成边缘耦合器的光耦合端面；沉积第二防潮层，第二防潮层包括覆盖深沟槽底部、电连接区以及第一防潮层上表面的第一部分和覆盖深沟槽侧壁的第二部分；利用各向异性刻蚀法，去除第一部分，保留第二部分；对半导体晶圆进行分离处理，得到多个独立的光子集成电路芯片。