一种半导体器件

本申请公开了半导体器件，包括位于衬底内的浅沟槽隔离结构，和位于浅沟槽隔离结构内的字线结构。其中，字线结构包括第一字线结构、第一虚设字线结构、第二虚设字线结构；由于第一字线结构、第一虚设字线结构、第二虚设字线结构包含不同的膜层材料，如此避免了相邻虚设字线结构之间产生寄生电容，提升了字线结构的稳定性，并最终提高了半导体器件的效能及可靠度。