福建省晋华集成电路有限公司

本申请公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、接触垫结构、复合绝缘层以及电容结构。接触垫结构设置在衬底上，包括第一接触垫、第二接触垫与第三接触垫。复合绝缘层部分位于接触垫结构上，其位于第一接触垫上的第一部分具有第一厚度，位于第二接触垫上的第二部分具有第二厚度，位于第三接触垫上的第三部分具有第三厚度，第一厚度小于第三厚度，且第三厚度小于第二厚度。电容结构设置在接触垫结构上，包括多个下电极、电容介质层和上电极层，部分下电极贯穿复合绝缘层并接触第一接触垫。由此，获得优化的元件可靠性和组件效能。

本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、电容结构以及支撑结构。电容结构设置在衬底上，包括沿着第一方向和第二方向排列成阵列的多个下电极，至少包括第一下电极和第二下电极。支撑结构设置在相邻的下电极之间并连接下电极。支撑结构包括一开口，位于第一下电极和第二下电极之间。开口包括邻接第一下电极的第一凹入部、和邻接第二下电极的两个第二凹入部，其中，所述第一凹入部的第一弦长大于所述第二凹入部的第二弦长。如此，通过开口及其第一凹入部、第二凹入部的设置，得以有效改善电容结构的电容值，达到相对优化的器件效能。

本申请公开了半导体器件，包括位于衬底内的浅沟槽隔离结构，和位于浅沟槽隔离结构内的字线结构。其中，字线结构包括第一字线结构、第一虚设字线结构、第二虚设字线结构；由于第一字线结构、第一虚设字线结构、第二虚设字线结构包含不同的膜层材料，如此避免了相邻虚设字线结构之间产生寄生电容，提升了字线结构的稳定性，并最终提高了半导体器件的效能及可靠度。

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，包括位于衬底内的浅沟槽隔离结构，和位于浅沟槽隔离结构内的字线结构。其中，浅沟槽隔离结构包括宽度不同的第一浅沟槽隔离结构、第二浅沟槽隔离结构和第三浅沟槽隔离结构，而位于不同浅沟槽隔离结构内的字线结构包含不同的膜层材料。如此避免了相邻字线结构之间产生寄生电容，提升了字线结构的稳定性，并最终提高了半导体器件的效能及可靠度。

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构，包括：衬底，包括单元区，以及设置在所述单元区外侧的周边区；多个单元结构，位于所述单元区的上方，所述单元结构包括交替排布的有源结构和第一隔离结构多个第二隔离结构，位于所述周边区的上方，沿所述单元结构的外侧排布；多个字线，包含位于所述单元区的上方的第一部分，以及延伸至所述周边区的上方的第二部分，所述第一部分覆盖所述单元结构的侧壁，所述第二部分覆盖所述第二隔离结构的侧壁；其中，所述第一部分在远离所述衬底的方向具有第一高度，所述第二部分在远离所述衬底的方向具有第二高度，所述第二高度高于所述第一高度。本发明能够避免相邻的字线之间短路。