半导体器件及其制作方法

本申请公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、接触垫结构、复合绝缘层以及电容结构。接触垫结构设置在衬底上，包括第一接触垫、第二接触垫与第三接触垫。复合绝缘层部分位于接触垫结构上，其位于第一接触垫上的第一部分具有第一厚度，位于第二接触垫上的第二部分具有第二厚度，位于第三接触垫上的第三部分具有第三厚度，第一厚度小于第三厚度，且第三厚度小于第二厚度。电容结构设置在接触垫结构上，包括多个下电极、电容介质层和上电极层，部分下电极贯穿复合绝缘层并接触第一接触垫。由此，获得优化的元件可靠性和组件效能。