半导体器件

本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、电容结构以及支撑结构。电容结构设置在衬底上，包括沿着第一方向和第二方向排列成阵列的多个下电极，至少包括第一下电极和第二下电极。支撑结构设置在相邻的下电极之间并连接下电极。支撑结构包括一开口，位于第一下电极和第二下电极之间。开口包括邻接第一下电极的第一凹入部、和邻接第二下电极的两个第二凹入部，其中，所述第一凹入部的第一弦长大于所述第二凹入部的第二弦长。如此，通过开口及其第一凹入部、第二凹入部的设置，得以有效改善电容结构的电容值，达到相对优化的器件效能。