具有垂直场板的碳化硅元件及其制造方法

本发明公开一种具有垂直场板的碳化硅元件及其制造方法，其中具有垂直场板的碳化硅元件包含一碳化硅基底、一碳化硅漂移区位于该碳化硅基底的正面上、多个场板位于该碳化硅漂移区中，该些场板在垂直方向上堆叠并被一绝缘层所分隔、一栅极位于该碳化硅漂移区中并从该碳化硅漂移区的表面露出，该栅极位于该些场板上方并在垂直方向与该些场板重叠、一源极电极位于该碳化硅漂移区上、以及一漏极电极位于该碳化硅基底的反面上。