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提供ESD/EOS保护装置。ESD/EOS保护装置包含由半导体材料形成且在半导体基板上方的鳍状结构、在鳍状结构中的第一源极/漏极区、在鳍状结构中的第二源极/漏极区、在鳍状结构上方且介于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的栅极结构、在鳍状结构上方的第一虚置栅极结构、在鳍状结构中且介于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的第一掺杂区、以及在第一虚置栅极结构下方且从第二源极/漏极区延伸至第一掺杂区的第一掺杂层。第一掺杂层的下表面高于第一掺杂区的下表面。

本发明公开一种具有垂直场板的碳化硅元件及其制造方法，其中具有垂直场板的碳化硅元件包含一碳化硅基底、一碳化硅漂移区位于该碳化硅基底的正面上、多个场板位于该碳化硅漂移区中，该些场板在垂直方向上堆叠并被一绝缘层所分隔、一栅极位于该碳化硅漂移区中并从该碳化硅漂移区的表面露出，该栅极位于该些场板上方并在垂直方向与该些场板重叠、一源极电极位于该碳化硅漂移区上、以及一漏极电极位于该碳化硅基底的反面上。