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ESD/EOS保护装置
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10D 89/60 (2025.01)H10D 30/62 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)
提供ESD/EOS保护装置。ESD/EOS保护装置包含由半导体材料形成且在半导体基板上方的鳍状结构、在鳍状结构中的第一源极/漏极区、在鳍状结构中的第二源极/漏极区、在鳍状结构上方且介于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的栅极结构、在鳍状结构上方的第一虚置栅极结构、在鳍状结构中且介于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的第一掺杂区、以及在第一虚置栅极结构下方且从第二源极/漏极区延伸至第一掺杂区的第一掺杂层。第一掺杂层的下表面高于第一掺杂区的下表面。