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기록
半导体工艺中的含氟等离子体处理
발명알 수 없음
5조회수
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§ Ⅰ
개요
발명자
M·南达库马尔; G·尼尔森; I·柯蒂斯; D·米什拉; D·R·布彻
출원일
Mar 27, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10D 64/68 (2025.01)H10D 64/01 (2025.01)
本公开大体上涉及用于形成半导体装置的半导体加工中的含氟等离子体处理。在实例中，半导体装置包含半导体衬底(502)、位于所述半导体衬底(502)上方的栅极介电层(520)和位于所述栅极介电层(520)上方的栅极电极(602)。所述栅极介电层(520)包含包括氟的氮化氧化硅。所述栅极电极(602)包含接近所述栅极介电层(520)的近侧部分，且所述栅极电极(602)的所述近侧部分不包含氟。