德州仪器公司

本公开涉及一种具有串联电阻消除和β补偿的温度传感器。一种设备包含电流源电路(112)，所述电流源电路具有耦合到第一端子的输出。第一电阻性装置(121)耦合在第二端子与第三端子之间。第二电阻性装置(122)耦合在所述第一端子与所述第二端子之间。控制电路(130)耦合到所述电流源电路并且耦合到所述第一电阻性装置(121)和所述第二电阻性装置(122)。所述控制电路(130)被配置成：启用所述第一电阻性装置(121)并且控制所述电流源电路(112)以将第一电流提供到所述第一端子；并且启用所述第二电阻性装置(122)并且控制所述电流源电路(112)以产生到所述第一端子的第二电流，所述第二电流不同于所述第一电流。

本申请涉及测试电路及包含其的电子装置以及测试方法。一种测试电路包括：第一电路，其包括：多个测试输入端子，其可配置以接收多个比较器测试信号，其中每个比较器测试信号与相应测试比较器的阈值电压相关联；以及测试输出端子，其中所述第一电路可配置以响应于所述多个比较器测试信号而在所述测试输出端子处生成总组合测试信号。

本申请涉及用于半导体装置中的导电层的阻挡结构及其制造方法。本文公开了一种半导体装置及其制造方法。所述装置(200)包含设置在衬底(202)上方的第一半导体区(232)，并且所述第一半导体区具有第一导电类型。所述装置进一步包含第二半导体区(220)，所述第二半导体区设置在所述衬底上方并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。所述装置进一步包含隔离结构(208)，所述隔离结构设置在所述衬底上方，邻接所述第二半导体区。所述装置进一步包含阻挡结构(244)，所述阻挡结构跨越所述第二半导体区的第一部分和所述隔离结构的一部分。所述装置进一步包含导电层(252b)，所述导电层设置在所述第二半导体区的第二部分上方并且邻接所述阻挡结构。

一种集成电路包含：驱动器电路(350)，其具有驱动器输入(例如，PWM)、驱动器输出(350的输出)、电源端子(到350的电源输入)和参考端子(352)；以及偏置电路(360和362)，其具有第一端子(例如，306/332)、第二端子(例如，308/334)、偏置控制端子(360和362的公共阳极)和偏置输出(360和362的公共阳极)。所述偏置输出耦合到所述参考端子。所述偏置电路包含耦合在所述第一端子与所述偏置输出之间的第一晶体管(例如，形成二极管362的晶体管)，以及耦合在所述偏置输出与所述第二端子之间的第二晶体管(例如，形成二极管360的晶体管)。所述第一晶体管具有第一控制端子(栅极)，所述第二晶体管具有第二控制端子(栅极)，并且所述第一控制端子和所述第二控制端子耦合到所述偏置控制端子，以从所述偏置控制端子接收相同的控制信号。

本申请描述了在势垒层中具有氧化层区段的半导体装置。在一些实例中，一种半导体装置(300)包含半导体衬底(302)、所述半导体衬底(302)上方的沟道层(306)以及所述沟道层(306)上方的势垒层(310)。所述半导体装置(300)进一步包含氧化层(319)，所述氧化层包含仅形成在所述半导体装置(300)的漏极接入区(305C)的一部分中的第一区段(316B)。

在一个实例中，一种集成电路(IC) (100)包括位于半导体衬底(102)上方的介电层(122)、位于所述介电层(122)上方的电阻层(124)、位于所述电阻层(124)的端头端(123A)上方的金属互连迹线(138A)、从所述金属互连迹线(138A)朝向所述电阻层(124)延伸的通孔(134A)，以及位于所述通孔(134A)与所述电阻层(124)之间的金属阻挡层(130)。

本公开涉及一种用于校正阻抗测量的方法和系统。一种系统(400，图4)包含：被测装置DUT(402A)，其封装在组合件中；电压测量电路(412A)，其耦合到所述DUT(402A)且可配置成获得表示所述DUT(402A)两端的电压的电压测量值；电流测量电路(422)，其耦合到所述DUT(402A)且可配置成获得表示通过所述DUT(402A)的电流的电流测量值；及处理电路(430)，其耦合到所述电压测量电路(412A)和所述电流测量电路(422)。所述处理电路(430)可配置成：接收所述电压测量值；接收所述电流测量值；及响应于所述电压测量值、所述电流测量值和特定于所述组合件的参数而计算所述DUT(402A)的阻抗谱。

本说明书涉及用于热电冷却器的单端驱动器和双向过流保护。根据实施例，一种电子电路(100)包含：第一供应端子(212)和第二供应端子(106)；第一电感器端子(SW1)和第二电感器端子(SW2)；输出端子(VOUT)；第一开关(202)，其耦合在所述第一供应端子(212)和所述第一电感器端子(SW1)之间；第二开关(204)，其耦合在所述第一电感器端子(SW1)和所述第二供应端子(106)之间；第三开关(206)，其耦合在所述第一供应端子(212)和所述第二电感器端子(SW2)之间；第四开关(208)，其耦合在所述第二电感器端子(SW2)和所述输出端子(VOUT)之间；以及控制器。

本申请的实施例涉及一种隔离器电路。一种设备包含整流器电路(110)、第一电容器(214)和第二电容器(216)、第一三角波驱动器(102)和第二三角波驱动器(104)，以及控制电路(114)。整流器电路(110)具有第一端子和第二端子。第一电容器(214)具有耦合到整流器电路(110)的第一端子的第一端子，和第二端子。第二电容器(216)具有耦合到整流器电路的第二端子的第一端子，和第二端子。第一三角波驱动器(102)具有输入和耦合到第一电容器(214)的第二端子的输出。第二三角波驱动器(104)具有输入和耦合到第二电容器(216)的第二端子的输出。控制电路(114)具有耦合到第一三角波驱动器(102)的输入的第一输出，和耦合到第二三角波驱动器(104)的输入的第二输出。

本申请涉及一种具有嵌入式无源组件的半导体装置和其制造方法。公开一种半导体封装(100)，其包含裸片(110)和引线框架(106)。所述引线框架(106)能够包含裸片焊盘(112)，所述裸片(110)能够耦合到所述裸片焊盘(112)；以及一组引线(116‑118)，其包括表面(124)。无源组件(102)能够耦合到所述一组引线(116‑118)的所述表面(124)，所述表面(124)能够至少与所述裸片(110)电连接。

一种设备包含两电平转换器电路(120)、更高电平转换器电路(130)(具有开关)和控制器(140)。所述控制器接收与所述两电平/更高电平转换器电路相关联的反馈信号(112)，且基于所述反馈信号来产生控制信号(142)。所述设备基于所述控制信号(142)来在三种模式(第一/第二/第三模式)中的一种模式下操作。在所述第一模式下，所述设备作为两电平转换器操作，以由输入电压产生两电平输出电压。在第二模式下，所述设备作为更高电平转换器操作，以将所述输出电压的电平的数量增加到多于两个电平。在第三模式下，所述设备在所述第一/第二模式之间转变，其中所述设备作为所述两电平转换器操作，并且其中所述更高电平转换器电路的所述开关被激活一段时间，以在所述设备的切换连接点处产生零电压。