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기록
在装置区中具有氧化层区段的半导体装置
발명알 수 없음
22청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10D 30/01 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/00 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)H10D 30/47 (2025.01)H10D 64/68 (2025.01)
本申请描述了在势垒层中具有氧化层区段的半导体装置。在一些实例中，一种半导体装置(300)包含半导体衬底(302)、所述半导体衬底(302)上方的沟道层(306)以及所述沟道层(306)上方的势垒层(310)。所述半导体装置(300)进一步包含氧化层(319)，所述氧化层包含仅形成在所述半导体装置(300)的漏极接入区(305C)的一部分中的第一区段(316B)。