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一种硫化装置、CIGS薄膜硫化工艺和太阳能电池器件

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§ Ⅰ

개요

발명자

颜畅; 黄梓涵; 李硕人

출원일

May 25, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/12 (2025.01)H10F 77/169 (2025.01)H10F 10/167 (2025.01)

一种硫化装置、CIGS薄膜硫化工艺和太阳能电池器件,涉及太阳能电池制造技术领域;封闭式多温区硫化装置包括样品盒、硫源容器和用于硫蒸气定向输运的输运管。其通过空间分离硫源与前驱体并独立控温,能够持续维持硫化反应后期所需的高硫蒸气压,同时能够稳定且充足地提供高硫分压环境确保了前驱体的充分硫化反应,显著提升薄膜的结晶性。本发明的CIGS薄膜的硫化工艺,基于硫源与前驱体的独立温控,精准匹配硫释放时机与前驱体的预设状态,在升温过程中,当硫源的退火温度超过临界温度时,所述前驱体薄膜处于480‑520℃环境中,从而在高硫压环境诱导形成超薄NaInS梯度过渡层,有效优化了吸收层/缓冲层界面的能带对齐结构,显著抑制了界面复合损失。