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半导体元件
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§ Ⅰ
개요
발명자
陈日康; 蔡宗良; 廖清翰; 张家豪; 吴先本; 欧震; 李奇霖; 廖文禄; 程正; 吴宜轩; 黄家芯
출원일
Apr 3, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10H 20/831 (2025.01)H10H 20/841 (2025.01)
本发明公开一种半导体元件，其包括：多个彼此通过沟槽分隔的半导体单元；一绝缘构件，位于沟槽中及多个半导体单元之上；一连接电极，位于绝缘构件上并跨越沟槽，电连接多个半导体单元；以及一空穴，位于沟槽中并由绝缘构件所界定；其中，沟槽具有宽度W，自多个半导体单元其中之一的顶表面至沟槽底部的垂直距离为L，且L/W大于或等于1.5。