一种基于原子插层三氧化钼的范德华异质结忆阻器及制备方法

一种基于原子插层三氧化钼的范德华异质结忆阻器、构建方法及调控方法，其中范德华异质结忆阻器包括底部二维材料层、层间插层有锡原子的MoO纳米层、顶部二维材料层、电介质层、衬底和电极；电介质层设于衬底，底部二维材料层设于电介质层；MoO纳米层的一部分设于底部二维材料层的上表面且另一部分设于电介质层；顶部二维材料层一部分设于MoO纳米层且另一部分设于电介质层。本发明能实现电导调控与突触可塑性模拟；通过改变电脉冲的数量、频率、强度、持续时间，实现可区分的突触权重更新，为二维高性能氧化物忆阻器在神经形态计算、非易失性存储器、高密度集成和快速内存计算系统中的实际应用提供新思路。