在半导体器件内形成气隙的方法、半导体器件、芯片、电子设备

本申请提供一种在半导体器件内形成气隙的方法、半导体器件、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何精确控制在金属互联层中形成深度一致性好、且深度灵活可调的气隙结构的问题。该形成气隙的方法首先通过在介质层上形成第一牺牲层，并在在介质层和第一牺牲层中制备金属互联层；然后去除第一牺牲层在金属互联层的相邻排布的互连线之间形成隔离凹槽，并通过第二牺牲层填充隔离凹槽；最后在隔离凹槽上形成在预设温度下允许第二牺牲层通过的第一介质层，在第二牺牲层通过第一介质层后便形成气隙。该形成气隙的方法可在第二牺牲层所在的位置形成气隙，精确控制形成的气隙结构。