深圳市新凯来工业机器有限公司

本申请公开了收集成像模组、光学装置和半导体设备，用于解决收集成像模组在高变倍同时实现低波像差的问题。收集成像模组包括沿物像方向依次设置有固定镜组、第一变焦镜组和第二变焦镜组，固定镜组的焦距满足：40mm<<80mm；第一变焦镜组的焦距为；第二变焦镜组的焦距为，且和满足：‑1.3＜/＜‑0.605。由收集成像模组的变倍比M公式：M=k/(/)2（k是与固定镜组的焦距及初始位置有关的常数）推导得到收集成像模组的变倍比数值范围为117.5倍至530倍，收集成像模组在大变倍范围的同时，减少了波像差，提高了收集成像模组的成像质量。

本申请公开了一种半导体设备和夹爪防烧蚀方法，涉及半导体设备技术领域。该设备包括光源、卡盘、多轴运动台、控制装置、光斑能量调控件和多个夹爪，卡盘安装于多轴运动台，控制装置与光斑能量调控件和多轴运动台连接。控制装置根据晶圆尺寸和夹爪尺寸确定晶圆上的光斑调控区域，以定位夹爪附近易受反射光影响的高风险区域；控制多轴运动台运动并获取运动信息，以追踪光斑在晶圆表面的位置。当判定光斑位于光斑调控区域内，控制装置向光斑能量调控件发送能量降低指令，使其降低入射至晶圆的光斑能量，从而减小反射光能量，降低夹爪烧蚀及颗粒污染风险，同时保障晶圆边缘区域的检测完整性和检测效率，提高夹爪防护效果和晶圆洁净度。

本申请提供一种具有磁场聚焦的电子发射装置及电子枪、半导体设备，电子发射装置包括阴极、阳极和第一磁透镜。阴极用于释放电子，阳极设置于阴极的下游，阳极与阴极间隔设置，用于吸引并加速阴极释放的电子以形成电子束。第一磁透镜的至少一部分设置于阴极和阳极的径向外侧，阴极和阳极与第一磁透镜的轴向重合，第一磁透镜形成的磁场用于使电子束在阴极以及阳极之间聚焦。电子由阴极释放后，第一磁透镜形成的磁场可以使电子束在阴极和阳极之间逐渐聚焦，改善因阳极电场畸变等原因导致的电子束发散，进而能够形成直径更小的交叉斑，最终能够形成直径更小的束斑，实现电子枪性能的提升。

一种晶圆的移动控制方法、装置及系统，涉及半导体工艺领域。该晶圆的移动控制方法先获取与多个套刻图案对应的多个位置信息，以保证晶圆上的每个套刻图案的位置均能够被精准获取，并根据多个位置信息确定出第一扫描模式及第二扫描模式中用时最短的扫描模式，再根据最短的扫描模式控制晶圆移动，有利于减小晶圆的移动时间，提高了晶圆的测量效率，进而提高套刻误差的测量效率。

本申请提供一种在半导体器件内形成气隙的方法、半导体器件、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何精确控制在金属互联层中形成深度一致性好、且深度灵活可调的气隙结构的问题。该形成气隙的方法首先通过在介质层上形成第一牺牲层，并在在介质层和第一牺牲层中制备金属互联层；然后去除第一牺牲层在金属互联层的相邻排布的互连线之间形成隔离凹槽，并通过第二牺牲层填充隔离凹槽；最后在隔离凹槽上形成在预设温度下允许第二牺牲层通过的第一介质层，在第二牺牲层通过第一介质层后便形成气隙。该形成气隙的方法可在第二牺牲层所在的位置形成气隙，精确控制形成的气隙结构。