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eflash版图的光学邻近修正方法、存储介质及终端
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§ Ⅰ
개요
발명자
姚淼红; 徐世斌; 张馨元; 颜哲钜; 李翰轩
출원일
Sep 10, 2026
공개일
Oct 20, 2026
IPC 분류
G03F 7/20 (2006.01)
一种eflash版图的光学邻近修正方法、存储介质及终端,其中方法包括:划分出eflash版图中的逻辑区域和存储阵列区域;采用光学邻近修正模型对逻辑区域的图形进行修正处理,获取逻辑修正版图;采用支持向量回归模型对存储阵列区域的图形进行修正处理,获取存储阵列修正版图;将逻辑修正版图和存储阵列修正版图进行拼接,形成修正版图。通过将eflash版图划分为逻辑区域和存储阵列区域,并对逻辑区域和存储阵列区域进行差异化的修正。支持向量回归模型可精准预测特征尺寸偏差、线尾缩短与拐角圆化误差,因此能够很好的适用存储阵列区域复杂图形分布的修正。而逻辑区域可以直接套用同节点逻辑版图的光学邻近修正模型进行修正,兼顾效率与精度。