一种嵌入式闪存器件的制备方法

本发明提供一种嵌入式闪存器件的制备方法，该制备方法包括提供一半导体结构，半导体结构包括一正面覆盖有隧穿氧化层的衬底，及覆盖在衬底相对两面的浮栅层、控制栅介质层、控制栅层及氮化硅层，位于隧穿氧化层一侧的氮化硅层、控制栅层、控制栅介质层、浮栅层及隧穿氧化层构成栅极结构；形成侧墙结构膜层和牺牲层于半导体结构的相对两面上，并采用湿法蚀刻去除衬底背面的侧墙结构膜层和氮化硅层；去除牺牲层并形成侧墙结构；通过快速热氧化工艺形成具有预设厚度的栅极氧化层于衬底正面。本发明的嵌入式闪存器件的制备方法能够避免炉管设备的高温计误判，使得后续生长的氧化层厚度达到目标值，从而降低器件的电性参数偏离，提高器件的良率。