重庆芯联微电子有限公司

本发明提供一种嵌入式闪存器件的制备方法，该制备方法包括提供一半导体结构，半导体结构包括一正面覆盖有隧穿氧化层的衬底，及覆盖在衬底相对两面的浮栅层、控制栅介质层、控制栅层及氮化硅层，位于隧穿氧化层一侧的氮化硅层、控制栅层、控制栅介质层、浮栅层及隧穿氧化层构成栅极结构；形成侧墙结构膜层和牺牲层于半导体结构的相对两面上，并采用湿法蚀刻去除衬底背面的侧墙结构膜层和氮化硅层；去除牺牲层并形成侧墙结构；通过快速热氧化工艺形成具有预设厚度的栅极氧化层于衬底正面。本发明的嵌入式闪存器件的制备方法能够避免炉管设备的高温计误判，使得后续生长的氧化层厚度达到目标值，从而降低器件的电性参数偏离，提高器件的良率。

本申请提供一种嵌入式闪存器件及其制备方法，所述嵌入式闪存器件制备方法中，半导体衬底包括存储区和逻辑区，半导体衬底上形成有栅极堆叠结构和多晶硅层，栅极堆叠结构形成于存储区上，存储区与逻辑区交界处的多晶硅层具有台阶形貌，先执行第一光刻工艺形成第一掩膜层，存储区上的第一掩膜层上具有第一开口，然后执行第一刻蚀工艺刻蚀存储区的多晶硅层，再执行第二光刻工艺形成第二掩膜层，第二掩膜层填充第一开口，逻辑区上的第二掩膜层上具有第二开口，然后执行第二刻蚀工艺刻蚀逻辑区的多晶硅层，减少多晶硅层的台阶形貌对刻蚀工艺的影响，有利于提高产品良率。

本申请提供一种晶圆膜层的量测方法，应用于原子力显微镜上，包括识别视野范围内的在线晶圆，在线晶圆表面形成有金属膜层，在线晶圆的边缘非功能区的金属膜层上形成有定位标记点；识别定位标记点并完成在线晶圆的坐标对准；采用非接触模式对金属膜层进行分段式扫描，得到各段扫描区域内的金属膜层表面的形貌高度数据；利用形貌高度数据确定每段扫描路径下的量测终点与量测起点的高度差值；利用多组高度差值获取金属膜层的形貌趋势图像，形貌趋势图像用于反映金属膜层的检测结果。如此设计能够对在线晶圆上的金属膜层进行有效的无接触式的量测监控。