包括MOS晶体管的电气结构

本公开提供一种电气结构及其制备方法。该电气结构包括一基板以及一金属氧化物半导体（MOS）晶体管。该金属氧化物半导体晶体管设置于该基板的一第一表面上，且包括一栅极结构。该栅极结构具有一顶表面和与该顶表面相对的一底表面。该顶表面的一宽度小于该底表面的一宽度。