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本揭露提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一介电层、第二介电层、掺杂第二介电层和电容器。基板具有周边区域以及被周边区域包围的阵列区域。第一介电层位于基板上。第二介电层位于第一介电层上。掺杂第二介电层位于周边区域的第二介电层上，其中，掺杂第二介电层包含N型掺杂剂，并且第二介电层和掺杂第二介电层均包含氮。电容器位于阵列区域中，并且电容器穿过第二介电层和第一介电层。此外，通过本揭露提供的半导体结构的制造方法，能够减少硬遮罩的沉积厚度，以降低电容器的纵横比，进而降低蚀刻工艺的难度。

本公开提供一种电气结构及其制备方法。该电气结构包括一基板以及一金属氧化物半导体（MOS）晶体管。该金属氧化物半导体晶体管设置于该基板的一第一表面上，且包括一栅极结构。该栅极结构具有一顶表面和与该顶表面相对的一底表面。该顶表面的一宽度小于该底表面的一宽度。

本申请公开一种间隔物结构、具有该间隔物的半导体元件及具有该间隔物的半导体元件的制造方法。该间隔物结构包括：一内部间隔物，位于该位元线结构的一侧上，其中该内部间隔物的材料包括碳氧化硅；一中间间隔物，位于该内部间隔物上；以及一外部间隔物，位于该中间间隔物上。

本公开提供一种预烧板、预烧装置、及预烧制程。该预烧板包括：一板基板，包括一前表面和一后表面；多个插座，安装于该板基板的该前表面上；以及一配线系统，位于该板基板中并电性连接至该些插座。该些插座通过配线系统配置成多个群组。该些群组各自包括排列成一2x2方阵的四个插座。

本揭示内容提供一种半导体结构，包括在基板上的位元线。位元线包括多晶硅接触、在多晶硅接触上的导电层，以及在导电层上的硬遮罩层。多晶硅接触包括种子层及具掺杂多晶硅层。种子层直接接触基板的主动区域。具掺杂多晶硅层在种子层上直接接触种子层。具掺杂多晶硅层包括第一部分及在第一部分上的第二部分。在第一部分中的N型掺杂剂的总数与硅的总数的第一数量比大于在第二部分中的N型掺杂剂的总数与硅的总数的第二数量比，以及第一部分的第一厚度小于第二部分的第二厚度。具较高掺杂剂浓度及较小厚度的第一部分及在第一部分上具较低掺杂剂浓度及较大厚度的第二部分可降低多晶硅接触的电阻并减少其中的空隙及接缝，且多晶硅接触的侧壁为直的。

本发明关于一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含基板、位元线、位元线电容、晶体管及金属线。基板具有存储器区域及周边区域。位元线位于基板的存储器区域上方。位元线电容位于位元线上方且连接位元线。晶体管位于基板的周边区域上方。金属线位于晶体管上方。位元线的顶面高于金属线的底面。介电层位于金属线上方且接触金属线。介电层与位元线电容由相同的材料制成。本发明的方法可同时形成第一金属线与位元线，以提升半导体结构布局布线的灵活性。由于第一金属线能够与栅极结构及其相关的互连结构进行电性连接，因此可实现更灵活的布局布线设计。