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기록
包括间隔物结构的半导体元件
발명알 수 없음
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13청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/48 (2026.01)
本申请公开一种间隔物结构、具有该间隔物的半导体元件及具有该间隔物的半导体元件的制造方法。该间隔物结构包括:一内部间隔物,位于该位元线结构的一侧上,其中该内部间隔物的材料包括碳氧化硅;一中间间隔物,位于该内部间隔物上;以及一外部间隔物,位于该中间间隔物上。
IPC 분류
本申请公开一种间隔物结构、具有该间隔物的半导体元件及具有该间隔物的半导体元件的制造方法。该间隔物结构包括:一内部间隔物,位于该位元线结构的一侧上,其中该内部间隔物的材料包括碳氧化硅;一中间间隔物,位于该内部间隔物上;以及一外部间隔物,位于该中间间隔物上。